INTRODUCTION
10. 바이폴라 트랜지스터의 전류-전압특성
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10.1.1 역방향 전압에서 pn접합의 캐리어 이동특성 (31:17)
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10.1.2 npn 바이폴라 트랜지스터의 구조와 동작 (64:08)
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10.2 중성영역 과잉소수캐리어의 농도분포 (39:41)
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10.3.1 바이폴라 트랜지스터의 각 영역에서의 전류 (53:34)
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10.3.2 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭률 (50:35)
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10.3.3 바이폴라 트랜지스터 전류의 해석적 모델 (31:17)
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10.4.1 베이스폭 변조현상과 크라우딩 효과 (29:21)
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10.4.2 불균일 도핑과 전류붕괴에 의한 바이폴라 트랜지스터의 동작 (30:23)
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10.5.1 에버스-몰 모델 (25:24)
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10.5.2 소신호 등가회로 모델 (43:22)
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10.5.3 전하제어 모델 (39:07)
11 MOS 구조의 전기적 특성
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11.1.1 일정한 페르미 준위를 이용한 열평형 상태의 에너지 대역도 (32:58)
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11.1.2 전하밀도 분포로부터 유도된 MOS 열평형 상태의 에너지 대역도 (61:39)
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11.2.1 공핍상태에서 전압이 인가된 MOS 에너지 대역도 (59:34)
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11.2.2 기판영역의 표면전위와 MOS구조의 전기적 특성 (28:04)
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11.3.1 Poisson 방정식을 이용한 기판전하량 (32:42)
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11.3.2 게이트 전압에 의한 표면전위 변화와 동작상태 특성 (46:34)
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11.3.3 기판전하량과 과도공핍현상 (21:49)
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11.4.1 기판농도와 산화막 두께에 따른 임계전압의 변화 (30:48)
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11.4.2 온도에 따른 임계전압 변화 (28:49)
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11.5.1 각 영역의 정전용량 (22:38)
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11.5.2 임계전압보다 낮은 게이트 전압에 대한 C-V특성 (27:06)
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11.5.3 임계전압보다 높은 게이트 전압에 대한 C-V특성 (29:16)
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11.5.4 주사전압과 소신호의 변화에 의한 MOS구조의 C-V특성 (14:40)
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